9 月 14 日消息，日本经济产业省本月 12 日宣布向美光 Micron 位于广岛县东广岛市的 DRAM 内存工厂提供合计最多 5360 亿日元的补贴（注：现汇率约合 258.69 亿元人民币）。
美光计划斥资 1.5 万亿日元扩建广岛工厂以量产下一代 DRAM 内存，日本政府将为此提供 1/3 的补贴，对应 5000 亿日元；另外的 360 亿日元资金则用于支持美光研发高性能存储器。
美光 DRAM 开发事业部高级副总裁 Shigeru Shiratake 表示：
我们非常感谢经济产业省和日本政府对美光研发工作的支持。美光日本存储器研发团队正与美光美国团队紧密合作，共同开发面向未来的全球最先进的存储器技术。这笔拨款将使我们能够进一步加快面向 AI 时代的高性能存储器解决方案的开发。
